生產原理
高溫裂解法生產氣相二氧化硅是將四氯化硅高溫氣化,在氫氧焰中經高溫水解而得氣相二氧化硅,其反映式如下: 1000℃ SiCl4 +2H2 +O2 ─→ SiO2 + 4HCl
生產方法
氣相二氧化硅的生產流程圖如下: 空氣→納氏泵→汽水分離器→除霧器→冷凍脫水塔→硅膠干燥器 ↓ H2→納氏泵→汽水分離器→除霧器→冷凍脫水器 氫氣除塵過濾器 ↓ │ 硅膠干燥器 │ ↓ │ 氫氣除塵過濾器→氫氣阻火器│ ↓ ↓↓ SiCl4→精流塔→冷凝器→氣化器────→合成水解爐 ↓ 空氣 分離器 ↓ ↓ 成品←脫酸爐←脫酸爐←料斗←凝集器
流程簡介:空氣經納氏泵加壓后,]經氣水分離器除霧冷凍脫水,硅膠干燥過濾除塵后分兩路,一路到合成水解爐,一路到氣化器作四氯化碳載體。
氫氣經納氏泵加壓后,經氣水分離器冷凍脫水,硅膠干燥、過濾除塵后送水解爐。
氫氣和空氣在合成水解爐上部噴嘴處燃燒,同時通入四氯化硅,燃燒形成1000℃左右的高溫,同時生成水蒸氣,水蒸氣將四氯化硅水解成二氧化硅和HCl氣體。高溫水解所得的二氧化硅顆粒極細,與反應后的氣體形成氣溶膠,不易捕集,故先把它送至聚集器中聚集成較大顆粒,然后再經旋風分離器收集,送脫酸爐,用含氨的空氣吹洗,使殘留的HCl量降至0.025%以下,得成品二氧化硅。 |